层生长理论发表评论(0)编辑词条

    晶体在理想情况下生长时, 一旦有三面凹角存在,质点则优先沿三面凹角位置生长一条行列;而当这一条行列长满后, 就只有两面凹角了, 质点就只能在两面凹角处生长,这时又会产生三面凹角位置,  然后将重复上述过程生长相邻行列;  在长满一层面网后, 质点就只能在任意的一般位置上生长,接着就会有两面凹角产生, 随后又会有三面凹角的形成 , 再开始生长第二层面网。晶面 (最外层面网) 是平行向外推移生长的。这就是晶体的 层生长理论 。

   （1）晶体的自限性— 晶体常生长为面平、棱直的几何多面体形态。
   （2）晶体断面上的环带构造— 各个环带代表了在晶体成长的不同阶段中，由于介质性质或环境条件的某种变化,
在晶体内留下的当时晶形轮廓的痕迹。它表明晶体是平行向外推移生长的。
   （3）面角守恒定律— 由于晶面是向外平行推移生长的，所以同种矿物不同晶体上对应晶面间的夹角不变。
   （4）生长锥或沙钟构造— 晶体由小长大, 许多晶面向外平行移动的轨迹形成以晶体中心为顶点的锥状体。

    （1）α- 石英晶体横断面上烟灰色和乳白色相间的环带构造
    （2）普通辉石的沙钟构造

合成红宝石的六方色带

层生长理论

    实际晶体生长也可能一层还没有完全长满，另一层又开始生长了，这叫阶梯状生长，最后可在晶面上留下生长层纹或生长阶梯。
       阶梯状生长是属于层生长理论范畴的。

层生长理论

    晶体生长过程是晶面层层外推的过程。

    当将这一界面上的所有最佳生长位置都生长完后，如果晶体还要继续生长，就必须在这一平坦面上先生长一个质点，由此来提供最佳生长位置。这个先生长在平坦面上的质点就相当于一个二维核，形成这个二维核需要较大的过饱和度，但许多晶体在过饱和度很低的条件下也能生长，这是理论模型与实验的差异。