层生长理论发表评论(0)编辑词条
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晶体在理想情况下生长时, 一旦有三面凹角存在,质点则优先沿三面凹角位置生长一条行列;而当这一条行列长满后, 就只有两面凹角了, 质点就只能在两面凹角处生长,这时又会产生三面凹角位置, 然后将重复上述过程生长相邻行列; 在长满一层面网后, 质点就只能在任意的一般位置上生长,接着就会有两面凹角产生, 随后又会有三面凹角的形成 , 再开始生长第二层面网。晶面 (最外层面网) 是平行向外推移生长的。这就是晶体的 层生长理论 。
可以解释的现象编辑本段回目录
(1)晶体的自限性— 晶体常生长为面平、棱直的几何多面体形态。
(2)晶体断面上的环带构造— 各个环带代表了在晶体成长的不同阶段中,由于介质性质或环境条件的某种变化,
在晶体内留下的当时晶形轮廓的痕迹。它表明晶体是平行向外推移生长的。
(3)面角守恒定律— 由于晶面是向外平行推移生长的,所以同种矿物不同晶体上对应晶面间的夹角不变。
(4)生长锥或沙钟构造— 晶体由小长大, 许多晶面向外平行移动的轨迹形成以晶体中心为顶点的锥状体。
可以支持理论的现象编辑本段回目录
阶梯状生长编辑本段回目录
中心思想编辑本段回目录
晶体生长过程是晶面层层外推的过程。
缺陷编辑本段回目录
当将这一界面上的所有最佳生长位置都生长完后,如果晶体还要继续生长,就必须在这一平坦面上先生长一个质点,由此来提供最佳生长位置。这个先生长在平坦面上的质点就相当于一个二维核,形成这个二维核需要较大的过饱和度,但许多晶体在过饱和度很低的条件下也能生长,这是理论模型与实验的差异。
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