砷化铟发表评论(0)编辑词条
砷化铟(indium arsenide)
由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料。常温呈银灰色固体,具有闪锌矿型的晶体结构,晶格常数为O.6058nm,密度为5.66g/cm3(固态)、5.90g/cm3(熔点时液态)。能带结构为直接跃迁,禁带宽度(300K)O.45eV。InAs在熔点(942℃)时砷的离解压只有O.033MPa,可在常压下由熔体生长单晶。常用的有HB和LEC方法,单晶直径达φ50mm。
InAs是一种难于纯化的半导体材料。非掺In.As单晶的剩余载流子浓度高于l×1016/cm3,室温电子迁移率3.3×104cm2/(V•s),空穴迁移率460cm2/(V•s)。硫在In.As中的有效分凝系数接近1,故用作n型掺杂剂,以提高纵向载流子浓度分布的均匀性。工业用的InAs(s)单晶,n≥1×1017/cm3,μ≤2.O×104cm2/(V•s),EPD≤5×104/cm2。
InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70),低的磁阻效应和小的电阻温度系数,是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3.34μm,在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料,可制造2~4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。
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